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元件参数资料
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参数目录41204
> FCD7N60TF MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
型号:
FCD7N60TF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FCD7N60TF PDF
标准包装
1
系列
SuperFET™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
600 毫欧 @ 3.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
920pF @ 25V
功率 - 最大
83W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
剪切带 (CT)
其它名称
FCD7N60TFCT
查看FCD7N60TF代理商
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